Sarnaselt grafeeniga on MXenes kahemõõtmeline metallkarbiidist materjal, mis koosneb titaani, alumiiniumi ja süsinikuaatomite kihtidest, millest igaühel on oma stabiilne struktuur ja mida saab hõlpsasti kihtide vahel liikuda.2021. aasta märtsis viisid Missouri osariigi teadus- ja tehnoloogiaülikool ning Argonne'i riiklik laboratoorium läbi uuringud MXenes materjalide kohta ning leidsid, et selle materjali kulumisvastased ja määrdeomadused ekstreemsetes keskkondades on paremad kui traditsioonilistel õlipõhistel määrdeainetel ning neid saab kasutada ka määrdeainetena. "Supermäärdeaine" tulevaste sondide nagu Perseverance kulumise vähendamiseks.
Teadlased simuleerisid ruumikeskkonda ja materjali hõõrdekatsed näitasid, et MXene liidese hõõrdetegur teraskuuli ja "ülemääritud olekus" moodustunud ränidioksiidiga kaetud ketta vahel oli 0,0067 ja 0,0017.Paremad tulemused saadi, kui MXene-le lisati grafeeni.Grafeeni lisamine võib hõõrdumist veelgi vähendada 37,3% ja kulumist 2 korda, ilma et see mõjutaks MXene ülimäärimisomadusi.MXenesi materjalid sobivad hästi kõrge temperatuuriga keskkondadega, avades uued uksed määrdeainete kasutamiseks äärmuslikes keskkondades.
Teatati esimese 2 nm protsessikiibi arendamise edenemisest Ameerika Ühendriikides
Pooljuhtide tööstuse pidev väljakutse on toota samaaegselt väiksemaid, kiiremaid, võimsamaid ja energiatõhusamaid mikrokiipe.Enamik tänapäeval seadmeid toidavad arvutikiibid kasutavad 10- või 7-nanomeetrilist protsessitehnoloogiat, mõned tootjad toodavad 5-nanomeetriseid kiipe.
2021. aasta mais teatas Ameerika Ühendriikide IBM Corporation maailma esimese 2 nm protsessikiibi arendamise edusammudest.Kiibitransistor kasutab kolmekihilist nanomeetrilist ümberringi (GAA) konstruktsiooni, kasutades minimaalse suuruse määratlemiseks kõige arenenumat äärmuslikku ultraviolett-litograafiatehnoloogiat, transistori värava pikkus on 12 nanomeetrit, integratsioonitihedus ulatub 333 miljonini ruutmillimeetri kohta, ja 50 miljardit saab integreerida.
Transistorid on integreeritud küünesuurusele alale.Võrreldes 7 nm kiibiga eeldatakse, et 2 nm protsessikiip parandab jõudlust 45%, vähendab energiatarbimist 75% ja võib mobiiltelefonide aku tööiga pikendada neli korda ning mobiiltelefoni saab kasutada pidevalt neli päeva. ainult ühe laadimisega.
Lisaks võib uus protsessikiip oluliselt parandada sülearvutite jõudlust, sealhulgas parandada sülearvutite rakenduste töötlemise võimsust ja Interneti-juurdepääsu kiirust.Isejuhtivates autodes võivad 2nm protsessikiibid parandada objektide tuvastamise võimeid ja lühendada reageerimisaegu, mis soodustab oluliselt pooljuhtvälja arengut ja jätkab Moore'i seaduse legendi.IBM plaanib 2027. aastal masstootma 2nm protsessikiipe.
Postitusaeg: august 01-2022